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Si1051X
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
10
1
0.1
0.01
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
I D = 1.2 A
T A = 125 °C
T A = 25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
0. 8
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
5
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.7
I D = 250 μ A
4
0.6
3
0.5
2
0.4
0.3
0.2
1
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
10
Limited
1 ms
Time (s)
Single Pulse Power
b y R DS(on) *
10 ms
1
100 ms
1s
0.1
10 s
DC
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
0.001
0.1
* V GS
1 10
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 74479
S10-2542-Rev. C, 08-Nov-10
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